Infineon IRHM7460SE

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

不合规

ECCN (US)

出口接触方式

HTS

8541.29.00.95

Automotive

无

PPAP

无

Category

功率MOSFET

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

500

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

18

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

360@12V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

180(Max)@12V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

3500@25V

Maximum Power Dissipation (mW)

250000

Typical Fall Time (ns)

59(Max)

Typical Rise Time (ns)

93(Max)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

90(Max)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

29(Max)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Mounting

通孔

Package Height

13.84(Max)

Package Width

6.6(Max)

Package Length

13.84(Max)

PCB changed

3

Tab

Tab

Standard Package Name

TO-254-AA

Supplier Package

TO-254AA

Lead Shape

通孔

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRHM7460SE

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.31

Drain Current-Max (ID)

18 A

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

AVALANCHE RATED; RADIATION HARDENED

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

S-MSFM-P3

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-254AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18.8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.36 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

250 W