Infineon IRHNJ57230SESCS

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

供应商未确认

Maximum Drain Source Voltage (V)

200

Maximum Continuous Drain Current (A)

12

Maximum Power Dissipation (mW)

750000

Mounting

表面贴装

Package Height

2.61(Max)

Package Width

10.28(Max)

Package Length

7.64(Max)

PCB changed

3

Supplier Package

SMD-0.5

Package Description

HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD0.5, 3 PIN

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRHNJ57230SESCS

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.32

Drain Current-Max (ID)

12 A

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.22 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR