Infineon IRHNJ7430SESCS

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

供应商未确认

ECCN (US)

出口接触方式

Automotive

无

PPAP

无

Maximum Drain Source Voltage (V)

500

Maximum Power Dissipation (mW)

750000

Mounting

表面贴装

Package Height

2.61(Max)

Package Width

10.28(Max)

Package Length

7.64(Max)

PCB changed

3

Supplier Package

SMD-0.5

Package Description

CHIP CARRIER, R-CBCC-N3

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRHNJ7430SESCS

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

8.12

Drain Current-Max (ID)

4.5 A

无铅代码

无

零件状态

活跃

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

1.65 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR