Infineon IRHY57230CMSE

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

不合规

ECCN (US)

出口接触方式

HTS

8541.29.00.95

Automotive

无

PPAP

无

Category

功率MOSFET

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

200

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

12

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

230@12V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

28(Max)@12V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1000@25V

Maximum Power Dissipation (mW)

75000

Typical Fall Time (ns)

30(Max)

Typical Rise Time (ns)

100(Max)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

35(Max)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

25(Max)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Mounting

通孔

Package Height

10.92(Max)

Package Width

5.08(Max)

Package Length

10.66(Max)

PCB changed

3

Tab

Tab

Supplier Package

TO-257AA

Package Description

HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRHY57230CMSE

Drain Current-Max (ID)

12 A

Risk Rank

5.21

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Package Shape

SQUARE

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

S-CSFM-P3

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-257AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12 A

漏极-源极导通最大电阻

0.23 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

75 W