Infineon JANTX2N6758

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

底架

通孔

表面安装

NO

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Lead Shape

通孔

Supplier Package

TO-204AE

Standard Package Name

TO-204-AA

Tab

Tab

PCB changed

2

Package Length

39.37(Max)

Package Width

25.53(Max)

Package Height

7.74(Max)

Mounting

通孔

Supplier Temperature Grade

Military

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Typical Turn-On Delay Time (ns)

35(Max)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

60(Max)

Typical Rise Time (ns)

80(Max)

Typical Fall Time (ns)

40(Max)

Maximum Power Dissipation (mW)

75000

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

600@25V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

39(Max)

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

39(Max)@10V

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

490@10V

Maximum Continuous Drain Current (A)

9

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Drain Source Voltage (V)

200

Number of Elements per Chip

1

Channel Mode

Enhancement

Process Technology

HEXFET

Category

功率MOSFET

PPAP

无

Automotive

无

HTS

8541.29.00.95

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

不合规

Schedule B

8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Drain Current-Max (ID)

9 A

Risk Rank

5.18

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Package Shape

ROUND

Manufacturer Part Number

JANTX2N6758

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

METAL

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/542

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

75 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

6 A

JEDEC-95代码

TO-204AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9 A

漏极-源极导通最大电阻

0.49 Ω

漏源击穿电压

200 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

54 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

75 W

通态电阻

400 mΩ

辐射硬化

无

无铅

含铅