Infineon SGB02N60

包装/外壳

TO-263-3

引脚数

3

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Pd - Power Dissipation

30 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.9 V

Unit Weight

0.068654 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Continuous Collector Current at 25 C

6 A

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

SP000011978 SGB02N60ATMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Continuous Collector Current Ic Max

6 A

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

系列

SGB02N60

包装

切割胶带

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

30 W

技术

Si

配置

Single

元素配置

Single

无卤素

无卤素

产品类别

IGBT晶体管

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

6 A

产品类别

IGBT晶体管

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

长度

10 mm