Infineon SGW20N60HS

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO247-3-1

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Pd - Power Dissipation

179 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Unit Weight

1.340411 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

240

Continuous Collector Current at 25 C

40 A

Mounting Styles

通孔

Part # Aliases

SP000013771 SGW20N60HSFKSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Continuous Collector Current Ic Max

36 A

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

36 A

Base Product Number

SGW20N

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 20A, 16Ohm, 15V

系列

SGW20N60

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

178 W

技术

Si

配置

Single

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

178 W

无卤素

不含卤素

产品类别

IGBT晶体管

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

36 A

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.15V @ 15V, 20A

连续集电极电流

36

IGBT类型

NPT

闸门收费

100 nC

集极脉冲电流（Icm）

80 A

Td（开/关）@25°C

18ns/207ns

开关能量

690µJ

产品类别

IGBT晶体管

宽度

5.3 mm

高度

20.95 mm

长度

15.9 mm