SPA06N80C3详情
Infineon SPA06N80C3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Number of Elements
1
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
终止次数
3
端子表面处理
TIN
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
电压 - 额定直流
800V
端子位置
SINGLE
额定电流
6A
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
39W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
25 ns
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
漏源电压 (Vdss)
800V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
6A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
800V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
780mOhm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
SPA06N80C3拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies










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