Infineon Technologies 64-2013PBF
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64-2013PBF
1211-64-2013PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
1最小包装量--
64-2013PBF详情
Infineon Technologies 64-2013PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
漏极-源极导通最大电阻
0.7Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
36A
DS 击穿电压-最小值
200V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
ROHS3 Compliant
64-2013PBF拓展信息
Infineon Technologies
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