Infineon Technologies AUIRFN7107TR

工厂交货时间

11 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Ta 75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

4.4W Ta 125W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 100μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2015

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

8.5mOhm

附加功能

超低电阻

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5m Ω @ 45A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3001pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

77nC @ 10V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

75V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

14A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

DS 击穿电压-最小值

75V

RoHS状态

符合RoHS标准