Infineon Technologies AUIRFS8409
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AUIRFS8409
1211-AUIRFS8409
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
--最小包装量--
AUIRFS8409详情
Infineon Technologies AUIRFS8409重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
39 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
195A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
375W Tc
Turn Off Delay Time
160 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2011
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
IRFS8409
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
375W
接通延迟时间
32 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
14240pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
450nC @ 10V
上升时间
105ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
100 ns
连续放电电流(ID)
195A
阈值电压
3.9V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
栅源电压
2.2 V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
AUIRFS8409拓展信息
Infineon Technologies
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