Infineon Technologies IRFSL7430PBF
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IRFSL7430PBF
1211-IRFSL7430PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 40V 195A TO262
1最小包装量--
IRFSL7430PBF详情
Infineon Technologies IRFSL7430PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
2.084002g
Power Dissipation (Max)
375W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
195A Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.9V @ 250μA
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
Single
通道数量
1
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2m Ω @ 100A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
14240pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
460nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
195A
阈值电压
3.9V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
达到SVHC
无SVHC
IRFSL7430PBF拓展信息
Infineon Technologies
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