Infineon Technologies AUIRL2203N
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AUIRL2203N
1211-AUIRL2203N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
--最小包装量--
AUIRL2203N详情
Infineon Technologies AUIRL2203N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
75A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Turn Off Delay Time
23 ns
Power Dissipation (Max)
180W Tc
Number of Elements
1
系列
HEXFET®
已出版
2011
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
元素配置
Single
功率耗散
180W
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7m Ω @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3290pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
60nC @ 4.5V
上升时间
160ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
66 ns
连续放电电流(ID)
75A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
30V
栅源电压
1 V
宽度
4.83mm
长度
10.67mm
高度
9.02mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
达到SVHC
无SVHC
AUIRL2203N拓展信息
Infineon Technologies
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