AUIRL2203N
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Infineon Technologies AUIRL2203N

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型号

AUIRL2203N

utmel 编号

1211-AUIRL2203N

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB

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AUIRL2203N
AUIRL2203N Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB

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AUIRL2203N详情

Infineon Technologies AUIRL2203N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 安装类型

    通孔

  • 底架

    通孔

  • 引脚数

    3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    75A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Turn Off Delay Time

    23 ns

  • Power Dissipation (Max)

    180W Tc

  • Number of Elements

    1

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2011

  • 包装

    Tube

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    180W

  • 接通延迟时间

    11 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7m Ω @ 60A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3290pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    60nC @ 4.5V

  • 上升时间

    160ns

  • Vgs(最大值)

    ±16V

  • 下降时间(典型值)

    66 ns

  • 连续放电电流(ID)

    75A

  • 阈值电压

    1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    16V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 栅源电压

    1 V

  • 宽度

    4.83mm

  • 长度

    10.67mm

  • 高度

    9.02mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 达到SVHC

    无SVHC

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & AUIRL2203N相似的参数规格。

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AUIRL2203N拓展信息

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IRFR220NTRPBF
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IRFP260NPBF
IRFP260NPBF

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IRLR2905TRPBF
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IRLL2705TRPBF
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