Infineon Technologies AUIRL3705ZS

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

130W Tc

Turn Off Delay Time

26 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

8MOhm

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

130W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 52A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2880pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 5V

上升时间

240ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

83 ns

连续放电电流(ID)

75A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

55V

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅