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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.352462
10
¥9.766474
100
¥9.213655
500
¥8.692127
1000
¥8.20012
Infineon Technologies AUIRLR014N
- 收藏
- 对比
AUIRLR014N
1211-AUIRLR014N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
AUIRLR014N详情
Infineon Technologies AUIRLR014N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
28W Tc
Turn Off Delay Time
12 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
元素配置
Single
功率耗散
28W
接通延迟时间
6.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
140m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
265pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.9nC @ 5V
上升时间
47ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
23 ns
连续放电电流(ID)
10A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
55V
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
AUIRLR014N拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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