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BCR112E6327HTSA1
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Infineon Technologies BCR112E6327HTSA1

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型号

BCR112E6327HTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BCR112E6327HTSA1

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

起订量

--最小包装量--

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BCR112E6327HTSA1
BCR112E6327HTSA1 Infineon Technologies Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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BCR112E6327HTSA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies BCR112E6327HTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    26 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    300mV

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    20

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 电压 - 额定直流

    50V

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    100mA

  • 基本部件号

    BCR112

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    200mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 无卤素

    不含卤素

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    20 @ 5mA 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    300mV @ 500μA, 10mA

  • 转换频率

    140MHz

  • 最大击穿电压

    50V

  • 频率转换

    140MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    50V

  • 最大结点温度（Tj）

    150°C

  • 电阻基(R1)

    4.7 k Ω

  • 电阻-发射极基极(R2)

    4.7 k Ω

  • 高度

    1.1mm

  • 长度

    2.9mm

  • 宽度

    1.3mm

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & BCR112E6327HTSA1相似的参数规格。

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