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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.6367
10
¥1.544059
100
¥1.45666
500
¥1.374202
1000
¥1.296418
Infineon Technologies BCR185WH6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BCR185WH6327XTSA1
1211-BCR185WH6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-70, SOT-323
大陆
立即发货

TRANS PREBIAS PNP 0.25W SOT323-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCR185WH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BCR185WH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Number of Elements
1
hFEMin
70
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
250mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
基本部件号
BCR185
极性
PNP
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
转换频率
200MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
200MHz
电阻基(R1)
10 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
高度
800μm
长度
2mm
宽度
1.25mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCR185WH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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