Infineon Technologies BCR198WH6327XTSA1

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

1

hFEMin

70

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

250mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

BCR198

极性

PNP

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 5mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA

转换频率

190MHz

频率转换

190MHz

电阻基(R1)

47 k Ω

电阻-发射极基极(R2)

47 k Ω

高度

800μm

长度

2mm

宽度

1.25mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅