注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.656149
500
¥1.217762
1000
¥1.014802
2000
¥0.931008
5000
¥0.870101
10000
¥0.809398
15000
¥0.782782
50000
¥0.769693
Infineon Technologies BCR573E6433HTMA1
- 收藏
- 对比
BCR573E6433HTMA1
1211-BCR573E6433HTMA1
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCR573E6433HTMA1详情
Infineon Technologies BCR573E6433HTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.1
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
330mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
-500mA
基本部件号
BCR573
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 50mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 2.5mA, 50mA
转换频率
150MHz
频率转换
150MHz
电阻基(R1)
1 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
10 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCR573E6433HTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。