Infineon Technologies BFG 196 E6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

150mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 50mA 8V

增益

9dB ~ 14.5dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

12V

转换频率

7500MHz

频率转换

7.5GHz

最大耗散功率(Abs)

0.8W

最高频段

L B

集电极-基极电容-最大值

1.4pF

噪音数字(分贝类型@ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

RoHS状态

Non-RoHS Compliant