Infineon Technologies BFG 235 E6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

300mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

附加功能

内置发射极镇流电阻

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

75 @ 200mA 8V

增益

12.5dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

15V

转换频率

5500MHz

频率转换

5.5GHz

最大耗散功率(Abs)

2W

最高频段

L B

集电极-基极电容-最大值

3.6pF

噪音数字(分贝类型@ f)

1.7dB @ 900MHz

RoHS状态

Non-RoHS Compliant