Infineon Technologies BFP196WE6327HTSA1

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-82A, SOT-343

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

700mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BFP196

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

700mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 50mA 8V

增益

12.5dB ~ 19dB

转换频率

7500MHz

最大击穿电压

12V

频率转换

7.5GHz

集电极基极电压(VCBO)

20V

最高频段

L B

噪音数字(分贝类型@ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

RoHS状态

符合RoHS标准