Infineon Technologies BFP196WH6740
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BFP196WH6740
1211-BFP196WH6740
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SC-82A, SOT-343
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RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
1最小包装量--
BFP196WH6740详情
Infineon Technologies BFP196WH6740重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-82A, SOT-343
供应商器件包装
PG-SOT343-4-1
厂商
Infineon Technologies
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
150mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12 V
hFEMin
70
Number of Elements
1
RoHS
Non-Compliant
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
150°C (TJ)
最高工作温度
150 °C
功率耗散
700 mW
功率 - 最大
700mW
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
12 V
最大集电极电流
150 mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 50mA, 8V
增益
19dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
频率转换
7.5GHz
集电极基极电压(VCBO)
20 V
发射极基极电压 (VEBO)
2 V
最大结点温度(Tj)
150 °C
环境温度范围高
150 °C
噪音数字(分贝类型@ f)
1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
高度
1 mm
BFP196WH6740拓展信息
Infineon Technologies
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