BFP196WH6740
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Infineon Technologies BFP196WH6740

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型号

BFP196WH6740

utmel 编号

1211-BFP196WH6740

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

SC-82A, SOT-343

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF TRANSISTOR, L BAND, NPN

起订量

1最小包装量--

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BFP196WH6740
BFP196WH6740 Infineon Technologies RF TRANSISTOR, L BAND, NPN

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BFP196WH6740详情

Infineon Technologies BFP196WH6740重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-82A, SOT-343

  • 供应商器件包装

    PG-SOT343-4-1

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Package

    Bulk

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    150mA

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    12 V

  • hFEMin

    70

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Non-Compliant

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 功率耗散

    700 mW

  • 功率 - 最大

    700mW

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    12 V

  • 最大集电极电流

    150 mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    70 @ 50mA, 8V

  • 增益

    19dB

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    12V

  • 频率转换

    7.5GHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    20 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    2 V

  • 最大结点温度(Tj)

    150 °C

  • 环境温度范围高

    150 °C

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 高度

    1 mm

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies BFP196WH6740.

BFP196WH6740拓展信息

BFR106E6327HTSA1
BFR106E6327HTSA1

Infineon Technologies

BFP650H6327XTSA1
BFP650H6327XTSA1

Infineon Technologies

BFP640H6327XTSA1
BFP640H6327XTSA1

Infineon Technologies

BFP520H6327XTSA1
BFP520H6327XTSA1

Infineon Technologies

BFR193WH6327XTSA1
BFR193WH6327XTSA1

Infineon Technologies

BFS17PE6327HTSA1
BFS17PE6327HTSA1

Infineon Technologies

BFP460H6327XTSA1
BFP460H6327XTSA1

Infineon Technologies

BFR380FH6327XTSA1
BFR380FH6327XTSA1

Infineon Technologies

BFQ19SH6327XTSA1
BFQ19SH6327XTSA1

Infineon Technologies

BFP650FH6327XTSA1
BFP650FH6327XTSA1

Infineon Technologies

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