Infineon Technologies BFP640FE6327
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BFP640FE6327
1211-BFP640FE6327
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
4-SMD, Flat Leads
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TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4
1最小包装量--
BFP640FE6327详情
Infineon Technologies BFP640FE6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, Flat Leads
引脚数
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
4.5V
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
4V
最大功率耗散
200mW
额定电流
50mA
频率
40GHz
基本部件号
BFP640
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
4V
最大集电极电流
50mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
110 @ 30mA 3V
增益
23dB
最大击穿电压
4.5V
集电极基极电压(VCBO)
13V
发射极基极电压 (VEBO)
1.2V
连续集电极电流
50mA
噪音数字(分贝类型@ f)
0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
高度
550μm
长度
1.4mm
宽度
800μm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BFP640FE6327拓展信息
Infineon Technologies
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