Infineon Technologies BFP 640FESD E6327

表面安装

YES

包装/外壳

4-SMD, Flat Leads

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

硅锗碳

Operating Temperature (Min.)

150°C

Operating Temperature (Max.)

150°C

Number of Elements

1

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

Reach合规守则

compliant

基本部件号

BFP640

JESD-30代码

R-PDSO-F4

配置

SINGLE

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

110 @ 30mA 3V

增益

8B ~ 30.5dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

4.7V

转换频率

46000MHz

频率转换

46GHz

最高频段

X B

噪音数字(分贝类型@ f)

0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz