Infineon Technologies BFP650E6327HTSA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-82A, SOT-343

晶体管元件材料

硅锗

Collector-Emitter Breakdown Voltage

4.5V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

HIGH RELIABILITY, LOW NOISE

最大功率耗散

500mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

BFP650

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE

箱体转运

EMITTER

功率 - 最大

500mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

110 @ 80mA 3V

增益

10.5dB ~ 21.5dB

转换频率

37000MHz

最大击穿电压

4.5V

频率转换

37GHz

最高频段

C B

集电极-基极电容-最大值

0.4pF

噪音数字(分贝类型@ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

RoHS状态

符合RoHS标准