Infineon Technologies BFP 650F E6327
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BFP 650F E6327
1211-BFP 650F E6327
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
4-SMD, Flat Leads
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RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP
--最小包装量--
BFP 650F E6327详情
Infineon Technologies BFP 650F E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
包装/外壳
4-SMD, Flat Leads
晶体管元件材料
硅锗
Current-Collector (Ic) (Max)
150mA
Number of Elements
1
已出版
2010
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
150°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子位置
DUAL
Reach合规守则
compliant
基本部件号
BFP650
JESD-30代码
R-PDSO-F4
配置
SINGLE
功率 - 最大
500mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
110 @ 80mA 3V
增益
11dB ~ 21.5dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
4.5V
转换频率
42000MHz
频率转换
42GHz
最高频段
L B
噪音数字(分贝类型@ f)
0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
BFP 650F E6327拓展信息
Infineon Technologies
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