Infineon Technologies BFR183WH6327XTSA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Current-Collector (Ic) (Max)

65mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

450mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

8GHz

基本部件号

BFR183

配置

SINGLE

功率耗散

450mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

65mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 15mA 8V

增益

18.5dB

转换频率

8000MHz

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

2V

集电极-基极电容-最大值

0.7pF

噪音数字(分贝类型@ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准