Infineon Technologies BFR720L3RHE6327XTSA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-101, SOT-883

引脚数

3

晶体管元件材料

硅锗

Collector-Emitter Breakdown Voltage

4.7V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

80mW

端子位置

BOTTOM

基本部件号

BFR720

配置

SINGLE

箱体转运

EMITTER

功率 - 最大

80mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

4V

最大集电极电流

20mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 13mA 3V

增益

24dB

转换频率

45000MHz

最大击穿电压

4.7V

频率转换

45GHz

集电极基极电压(VCBO)

13V

最高频段

X B

噪音数字(分贝类型@ f)

0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准