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Infineon Technologies BFR750L3RHE6327XTSA1

Name: BFR750L3RHE6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BFR750L3RHE6327XTSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BFR750L3RHE6327XTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BFR750L3RHE6327XTSA1

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

SC-101, SOT-883

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 4V 0.09A 3-Pin TSLP

起订量

1最小包装量--

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BFR750L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies Trans GP BJT NPN 4V 0.09A 3-Pin TSLP

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BFR750L3RHE6327XTSA1详情

技术参数

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Infineon Technologies BFR750L3RHE6327XTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

SC-101, SOT-883
安装类型

表面贴装
底架

表面贴装
引脚数

3
Number of Elements

1
Collector-Emitter Breakdown Voltage

4.7V
已出版

2007
包装

Tape & Reel (TR)
操作温度

150°C TJ
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
最大功率耗散

360mW
频率

37GHz
基本部件号

BFR750
功率耗散

360mW
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

4V
最大集电极电流

90mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 60mA 3V
增益

21dB
最大击穿电压

4.7V
集电极基极电压(VCBO)

13V
发射极基极电压 (VEBO)

1.2V
噪音数字(分贝类型@ f)

0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

BFR750L3RHE6327XTSA1拓展信息

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