Infineon Technologies BSC010NE2LSATMA1
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BSC010NE2LSATMA1
1211-BSC010NE2LSATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
--最小包装量--
BSC010NE2LSATMA1详情
Infineon Technologies BSC010NE2LSATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PG-TDSON-8-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
39A Ta 100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 96W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
96W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4700pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
64nC @ 10V
上升时间
6ns
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
39A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源电阻
800μOhm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSC010NE2LSATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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