Infineon Technologies BSC046N02KSGAUMA1

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Ta 80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 48W Tc

Turn Off Delay Time

34 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.2V @ 110μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

48W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.6m Ω @ 50A, 4.5V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4100pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27.6nC @ 4.5V

上升时间

117ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

80A

阈值电压

950mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

19A

漏极-源极导通最大电阻

0.0046Ohm

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

雪崩能量等级（Eas）

151 mJ

栅源电压

950 mV

高度

1.1mm

长度

6.35mm

宽度

5.35mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant