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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.870534
10
¥13.085409
100
¥12.344726
500
¥11.645967
1000
¥10.986762
Infineon Technologies BSC110N15NS5
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- 对比
BSC110N15NS5
1211-BSC110N15NS5
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
--
大陆
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PowerTDFN-8 MOSFETs ROHS
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¥
总价: ¥
BSC110N15NS5详情
Infineon Technologies BSC110N15NS5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SOP-8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSC110N15NS5
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.65
Drain Current-Max (ID)
76 A
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.011 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
304 A
DS 击穿电压-最小值
150 V
雪崩能量等级(Eas)
100 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BSC110N15NS5拓展信息
Infineon Technologies
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