Infineon Technologies BSC155N06NDATMA1

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~175°C TJ

系列

OptiMOS™-T2

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

50W Tc

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15.5m Ω @ 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 20μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2250pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20A

漏极-源极导通最大电阻

0.0155Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

40 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant