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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.062035
10
¥1.00192
100
¥0.945207
500
¥0.891705
1000
¥0.841232
Infineon Technologies BSD214SNH6327XTSA1
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- 对比
BSD214SNH6327XTSA1
1211-BSD214SNH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SOT-363 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSD214SNH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSD214SNH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500mW
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
140m Ω @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 3.7μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
143pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.8nC @ 5V
上升时间
7.8ns
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
1.5A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大双电源电压
20V
反馈上限-最大值 (Crss)
9 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSD214SNH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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