Infineon Technologies BSD235C L6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

950mA 530mA

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BSD235

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

500mW

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

350m Ω @ 950mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 1.6μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

47pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.34nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.95A

漏极-源极导通最大电阻

0.35Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.5W

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准