Infineon Technologies BSD235N L6327
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BSD235N L6327
1211-BSD235N L6327
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
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MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
--最小包装量--
BSD235N L6327详情
Infineon Technologies BSD235N L6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型
表面贴装
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
950mA
系列
OptiMOS™
已出版
2011
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
HTS代码
8541.21.00.95
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BSD235
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
500mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
350m Ω @ 950mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 1.6μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
63pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.32nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.95A
漏极-源极导通最大电阻
0.35Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.5W
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
符合RoHS标准
BSD235N L6327拓展信息
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