Infineon Technologies BSL207SPH6327XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

42 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2001

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

41m Ω @ 6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 40μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1007pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

17ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

连续放电电流(ID)

6A

阈值电压

-900mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大双电源电压

-20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

雪崩能量等级（Eas）

44 mJ

高度

1mm

长度

2.9mm

宽度

1.6mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅