Infineon Technologies BSL211SPH6327XTSA1
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BSL211SPH6327XTSA1
1211-BSL211SPH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
--最小包装量--
BSL211SPH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSL211SPH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta
Turn Off Delay Time
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
电压 - 额定直流
-20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-4.7A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
接通延迟时间
8.7 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
67m Ω @ 4.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 25μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
654pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12.4nC @ 10V
上升时间
13.9ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
23.3 ns
连续放电电流(ID)
4.7A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大双电源电压
-20V
漏源击穿电压
-20V
高度
1mm
长度
2.9mm
宽度
1.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSL211SPH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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