NXP USA Inc. PMN55LN,135

表面安装

YES

包装/外壳

SC-74, SOT-457

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

1.75W Tc

Number of Elements

1

已出版

1997

系列

TrenchMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

500pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13.1nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±15V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant