Infineon Technologies BSL315PL6327HTSA1
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BSL315PL6327HTSA1
1211-BSL315PL6327HTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin TSOP T/R
1最小包装量--
BSL315PL6327HTSA1详情
Infineon Technologies BSL315PL6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.5A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2012
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
附加功能
雪崩 额定
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BSL315
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
500mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
150m Ω @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 11μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
282pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.3nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.15Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
84 pF
RoHS状态
符合RoHS标准
BSL315PL6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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