Infineon Technologies BSL316CL6327HTSA1
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BSL316CL6327HTSA1
1211-BSL316CL6327HTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R
1最小包装量--
BSL316CL6327HTSA1详情
Infineon Technologies BSL316CL6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.4A 1.5A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
HTS代码
8541.21.00.95
最大功率耗散
500mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BSL316
引脚数量
6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
160m Ω @ 1.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 3.7μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
94pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.6nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
1.5A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.4A
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
7 pF
RoHS状态
符合RoHS标准
BSL316CL6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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