Infineon Technologies BSL806NH6327XTSA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A Ta

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

500mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

57m Ω @ 2.3A, 2.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

750mV @ 11μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

259pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.7nC @ 2.5V

最大双电源电压

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.3A

漏极-源极导通最大电阻

0.057Ohm

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 1.8V Drive

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅