Infineon Technologies BSM100GB120DN2HOSA1

表面安装

NO

包装/外壳

Module

安装类型

底座安装

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Current-Collector (Ic) (Max)

150A

操作温度

150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

7

JESD-30代码

R-XUFM-X7

配置

半桥

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

800W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

2mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

210 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

470 ns

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

6.5nF @ 25V

RoHS状态

ROHS3 Compliant