Infineon Technologies BSM100GB170DN2HOSA1
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BSM100GB170DN2HOSA1
1211-BSM100GB170DN2HOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MOD 1700V 145A 1000W
1最小包装量--
BSM100GB170DN2HOSA1详情
Infineon Technologies BSM100GB170DN2HOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
Module
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.7kV
Current-Collector (Ic) (Max)
145A
操作温度
150°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
1kW
配置
半桥
功率 - 最大
1000W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
3.9V
最大集电极电流
145A
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
输入电容
16nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.9V @ 15V, 100A
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
16nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
BSM100GB170DN2HOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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