Infineon Technologies BSM100GD120DLCBOSA1
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BSM100GD120DLCBOSA1
1211-BSM100GD120DLCBOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
1最小包装量--
BSM100GD120DLCBOSA1详情
Infineon Technologies BSM100GD120DLCBOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Module
表面安装
NO
安装类型
底座安装
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
6
Current-Collector (Ic) (Max)
100A
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
39
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
39
JESD-30代码
R-XUFM-X39
配置
Single
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
12.2μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
110 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.6V @ 15V, 100A
关断时间-标准值(toff)
480 ns
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
6.5nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSM100GD120DLCBOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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