Infineon Technologies BSM100GP60BOSA1
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BSM100GP60BOSA1
1211-BSM100GP60BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3
1最小包装量--
BSM100GP60BOSA1详情
Infineon Technologies BSM100GP60BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
135A
Number of Elements
7
操作温度
-40°C~125°C
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
24
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
24
JESD-30代码
R-XUFM-X24
资历状况
不合格
配置
三相逆变器
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
420W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
三相桥式整流器
最大集极截止电流
500μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
接通时间
110 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 100A
关断时间-标准值(toff)
330 ns
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
4.3nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSM100GP60BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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