Infineon Technologies BSM10GD120DN2BOSA1
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BSM10GD120DN2BOSA1
1211-BSM10GD120DN2BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
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IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1
1最小包装量--
BSM10GD120DN2BOSA1详情
Infineon Technologies BSM10GD120DN2BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
6
Operating Temperature (Max.)
150°C
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
17
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
17
JESD-30代码
R-XUFM-X17
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
接通时间
105 ns
集电极电流-最大值(IC)
15A
关断时间-标准值(toff)
460 ns
集电极-发射器电压-最大值
1200V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSM10GD120DN2BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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