Infineon Technologies BSM10GD120DN2E3224BOSA1
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BSM10GD120DN2E3224BOSA1
1211-BSM10GD120DN2E3224BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MODULE 1200V 15A 80W
--最小包装量--
BSM10GD120DN2E3224BOSA1详情
Infineon Technologies BSM10GD120DN2E3224BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
15A
Number of Elements
6
操作温度
150°C TJ
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
17
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
17
JESD-30代码
R-XUFM-X17
配置
全桥
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
80W
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
400μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
105 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.2V @ 15V, 10A
关断时间-标准值(toff)
460 ns
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
530pF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSM10GD120DN2E3224BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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